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Los transistores de efecto de campo de potencia del modo de mejora lógica del canal N se producen utilizando tecnología de trinchera DMOS de alta densidad celular. Este proceso de alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado activo. Estos dispositivos son particularmente adecuados para aplicaciones de bajo voltaje, como administración de energía de computadoras portátiles y otros circuitos alimentados por batería donde se necesita conmutación de lado bajo y baja pérdida de energía en línea en un paquete de montaje en superficie de contorno muy pequeño.