TO-252
Modelo：FKD4048B、FKD3115
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Especificación
| FKD4048B | 45 V simple N RDS = 2,2 mΩ |
| FKD3115 | -45V Single P RDS=10.5mΩ |
DESCRIPCIÓN GENERAL
El MOSFET es un transistor de efecto de campo de potencia en modo de mejora de canal N que utiliza la tecnología patentada Extended Trench Gate (ETG) de Force-MOS. Esta tecnología avanzada está especialmente diseñada para minimizar la resistencia de estado y la carga de la puerta, y mejorar la capacidad de avalancha. Estos dispositivos son particularmente adecuados para aplicaciones de voltaje medio, como cargadores, adaptadores, administración de energía de computadoras portátiles y otros circuitos alimentados con atenuación de iluminación, y baja pérdida de energía en línea que se necesitan en un paquete de montaje en superficie de contorno muy pequeño.
CARACTERÍSTICAS / APLICACIONES
CARACTERISTICAS
● RDS(ON)≦10.5mΩ@VGS=10V
● RDS (ENCENDIDO)≦16.5mΩ@VGS=4.5V
● Diseño de celda de súper alta densidad para un RDS(ON) extremadamente bajo
● Resistencia de encendido excepcional y capacidad máxima de corriente CC
APLICACIONES
● Administración de energía
● Rectificación síncrona
● Interruptor de carga