SOP-8
Modelo：FKS3018B、FKS3031、FKS3206、FKS3305、FKS3905
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Especificación
| FKS3018B | 30V Único N RDS=3mΩ |
| FKS3031 | -30V Single P RDS=7mΩ |
| FKS3206 | 30V Doble N RDS=6mΩ |
| FKS3305 | -30V Dual P RDS=16mΩ |
| FKS3905 | 30V N+P RDS=12mΩ |
DESCRIPCIÓN GENERAL
Los transistores de efecto de campo de potencia en modo de mejora lógica de canal N y P se producen utilizando tecnología de trinchera DMOS de alta densidad celular. Este proceso de alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado activo. Estos dispositivos son particularmente adecuados para aplicaciones de bajo voltaje, como la administración de energía de teléfonos celulares y computadoras portátiles y otros circuitos alimentados por batería donde se necesita una conmutación lateral alta y una baja pérdida de energía en línea en un paquete de montaje en superficie de contorno muy pequeño.
CARACTERÍSTICAS / APLICACIONES
CARACTERISTICAS
• RDS (ENCENDIDO) ≦ 26,5 mΩ @ VGS = 10 V (canales N)
• RDS(ON) ≦45mΩ@VGS=4.5V (N-Ch) .
• RDS(ON) ≦44mΩ@VGS=-10V (P-Canal)
• RDS(ON) ≦60mΩ@VGS=-4.5V(P-Ch)
• Diseño de celda de súper alta densidad para un RDS(ON) extremadamente bajo
• Excepcional resistencia de encendido y máxima capacidad de corriente CC
APLICACIONES
• Administración de energía en el cuaderno
• Equipo portátil
• Sistema alimentado por batería
• Convertidor CC/CC
• Interruptor de carga
• Inversor de pantalla LCD