DFN 3x3
Modelo：FKCA1030、FKCA2030、FKCA3214
Si tiene alguna pregunta sobre las especificaciones del producto, no dude en contactarnos. ¡Gracias!
Agregar a consulta
Especificación
| FKCA1030 | 12 V RDS = 4,3 mΩ |
| FKCA2030 | 20V RDS=5.8Ω |
| FKCA3214 | 30V RDS=15mΩ |
DESCRIPCIÓN GENERAL
Es un transistor de efecto de campo de potencia en modo de mejora de canal N, que utiliza la tecnología patentada Extended Trench Gate (ETG) de Force-MOS.
Esta tecnología avanzada está especialmente diseñada para minimizar la resistencia de estado y la carga de la puerta, y mejorar la capacidad de avalancha.
Estos dispositivos son particularmente adecuados para aplicaciones de voltaje medio, como cargadores, adaptadores, administración de energía de computadoras portátiles y otros circuitos alimentados con atenuación de iluminación, y baja pérdida de energía en línea que se necesitan en un paquete de montaje en superficie de contorno muy pequeño.