MOSFET 是一種 N 通道增強型功率場效應電晶體，採用 Force-MOS 專利擴展通道柵極 (ETG) 技術。 這種先進的技術是專門為最小化狀態電阻和柵極電荷而設計的，並增強崩潰能力。 這些設備特別適用於中壓應用，例如充電器、變壓器、筆記本電腦電源管理和其他燈光調整功率電路，以及極小外形表面貼裝封裝所需的低在線功率損耗。
特色 • RDS(ON)≦10.5mΩ@VGS=10V • RDS(ON)≦16.5mΩ@VGS=4.5V • 超高密度電池設計，可實現極低 RDS(ON) • 出色的導通電阻和最大直流電流能力
應用 • 電源管理 • 同步整流 • 負荷開關
